PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Брюквина Л.И.

Изобретатель Брюквина Л.И. является автором следующих патентов:

Способ выращивания кристаллов на основе фторида лития

Способ выращивания кристаллов на основе фторида лития

 (19)SU(11)1264604(13)A1(51)  МПК 6    C30B17/00, C30B29/12H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии получения материала лазерного элемента (ЛЭ), и...

1264604

Нелинейный материал для обращения волнового фронта электромагнитной волны

Нелинейный материал для обращения волнового фронта электромагнитной волны

  Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в динамической голографии для преобразования волновых фронтов лазерного излучения. Цель - уменьшение плотности мощности, затрачиваемой на создание динамической дифракционной решетки. Нелинейный материал на основе кристалла фторида лития содержит F+3 и F+3* - центры к концентрациях, соответствующих коэффециентам погло...

1440193