Сафаралиев Г.К.

 1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100-1400 К и воздействии на него постоянного электрического тока. 2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с...

 Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса. Изобретение заключается в том, что сублимацию ведут из источника, в качестве которого используют поликристаллические спеки SiC+AlN, при следующем соотношении ком...