Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x

Реферат

 

Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)_4-x(AlN)_x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса. Изобретение заключается в том, что сублимацию ведут из источника, в качестве которого используют поликристаллические спеки SiC+AlN, при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiC - 20-80, AlN - остальное.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллических эпитаксиальных слоев многокомпонентных полупроводниковых соединений, используемых для создания опто- и акустоэлектрических устройств. Целью изобретения является получение совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35-0,9 и удешевление процесса. П р и м е р. Выращивание монокристаллических эпитаксиальных слоев (SiC)_1-x(AlN)_x на подложке Al₂O₃ из источника с содержанием, в мас. AlN 40 и SiC 60. Источник помещают на дно контейнера из карбида циркония, а подложку Al₂O₃ располагают над источником на расстоянии приблизительно 1-3 мм. Температура процесса 2000^oC регулируется с помощью высокочастотного регулятора температуры ВРТ 3. Выращивание проводится в атмосфере, содержащей 70 об. Ar и 30 об. N₂. Скорость роста слоев составляет приблизительно 50 мкм/час. Состав полученных эпитаксиальных слоев (SiC)_0,45(AlN)_0,55 определяют на микроанализаторе "Geoscan". Ширина запрещенной зоны полученного твердого раствора составляет 4,8 эВ. Применение в качестве тигля для выращивания контейнера из карбида циркония позволяет проводить процесс в обычной высокотемпературной печи с графитовым нагревателем. Способ обеспечивает получение слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9.

Формула изобретения

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)_4-x(AlN)_х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100^oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас. SiC 20 80 AlN Остальное

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 14-2002

Извещение опубликовано: 20.05.2002