Космодемьянская Н.П.

 СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, содержащий поверхностно-активное вещество, производное фосфорной кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки ситалловых пластин, в качестве поверхностно-активного вещества применен алкилсульфонат натрия, в качестве производного фосфорной кислоты - гексаметафосфат натрия и дополнительно введена ортофосфорная кис...

 Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой и гибридной технологиям, и может быть использовано при формировании рисунка схемы методом фотолитографии. Цель изобретения - улучшение качества травления за счет повышения его равномерности. В раствор для травления антимонида индия, включающий органическую кислоту, перекись водорода и азотную кислоту, дополнительно...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов. Цель - повышение качества очистки поверхности. Состав для очистки поверхности антимонида индия включает, мас.%: оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC6H4O(CH2C2H4O)nH, где n = 9 - 12, в количестве 0,18 - 0,22, гексаметафосфат натрия 0,65 - 0,85, вода до 100. Сост...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к очистке подложек микросхем в процессе монтажа. Цель изобретения - повышение качества очистки и снижение токсичности состава. Подложки микросхем с навесными элементами погружают в состав, содержащий, мас.%: гидроокись аммония 1,25 - 1,45, поверхностно-активные вещества формулы RC6H4O(CH2CH2O)nH (R = C9H19, а n = 10 или 12) 0,25 - 0,35...