Состав для очистки поверхности диэлектрика
Патент 1292605
Авторы
Классы МПК
Состав для очистки поверхности диэлектрика
Реферат
СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, содержащий поверхностно-активное вещество, производное фосфорной кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки ситалловых пластин, в качестве поверхностно-активного вещества применен алкилсульфонат натрия, в качестве производного фосфорной кислоты - гексаметафосфат натрия и дополнительно введена ортофосфорная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%: Алкилсульфонат натрия - 0,002 - 0,04 Гексаметафосфат натрия - 0,025 - 0,15 Ортофосфорная кислота - 0,05 - 0,10 Вода - До 100
Изобретение относится к средствам для очистки поверхности диэлектрика и может быть использовано при производстве гибридных интегральных схем. Цель изобретения повышение эффективности очистки. П р и м е р 1. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 МОм) готовят раствор смеси алкилсульфоната натрия (волгоната), гексаметафосфата натрия, ортофосфорной кислоты с концентрациями 0,002; 0,15 и 0,05 мас. соответственно. В полученный раствор погружают ситалловую пластину и отмывают ее в течение 10 мин при перемешивании раствора с помощью магнитной мешалки при 60оС. После обработки подложку промывают в токе деионизованной воды в течение 1-1,5 мин, проверяют на качество очистки поверхности подложки по смачиваемости, сушат на центрифуге, отжигают при 250-300оС в течение 10 мин, и далее подложка поступает на напыление, затем ее проверяют на качество адгезии поверхности ситалловой подложки к напыленной пленке. П р и м е р 2. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 МОм) готовят раствор смеси алкилсульфоната натрия, гексаметафосфата натрия и ортофосфорной кислоты с концентрациями 0,02; 0,10 и 0,07 мас. соответственно. В полученный раствор погружают ситалловую пластину и отмывают ее в течение 10 мин при перемешивании раствора с помощью магнитной мешалки при 60оС. Далее проводят операции по примеру 1. П р и м е р 3. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 МОм) готовят раствор смеси алкилсульфоната натрия, гексаметафосфата натрия и ортофосфорной кислоты с концентрациями 0,04; 0,025 и 0,10 мас. соответственно. В полученный раствор погружают ситалловую пластину и отмывают ее в течение 10 мин при перемешивании раствора с помощью магнитной мешалки при 60оС. Далее проводят операции по примеру 1.
Формула изобретения
СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, содержащий поверхностно-активное вещество, производное фосфорной кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки ситалловых пластин, в качестве поверхностно-активного вещества применен алкилсульфонат натрия, в качестве производного фосфорной кислоты - гексаметафосфат натрия и дополнительно введена ортофосфорная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%: Алкилсульфонат натрия - 0,002 - 0,04 Гексаметафосфат натрия - 0,025 - 0,15 Ортофосфорная кислота - 0,05 - 0,10 Вода - До 100