Рубаха В.И.

 Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике. Цель изобретения - повышение производительности способа и снижение себестоимости выращенных кристаллов. Способ включает испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, которая связана с кислотностью исходного раствора pH t0 следующим соо...

 Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO3 и позволяет повысить точность измерения. В раствор погружают микрокристалл и наблюдают его грань пирамиды в микроскоп в растворе в отраженном свете. Ведут рост микрокристалла до появления...

 Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3). Способ включает приготовление исходного водного раствора соли LiIO3 с добавкой Н3РО4 (или D3PO4 при использовании в качестве растворителя тяжелой воды D2O, выдержку раствора не менее 2 ч при температуре toС, определяемой из интервала T1 < t < tкип, где t1 - тем...

 Использование: в технологии выращивания кристаллов на затравках, ростовая поверхность которых представляет собой естественную грань. Сущность изобретения: монокристаллы выращивают из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани. В качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в нач...