Способ измерения величины пересыщения раствора t, соответствующей началу роста граней призмы

Способ измерения величины пересыщения раствора t, соответствующей началу роста граней призмы

Реферат

 

Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO₃ и позволяет повысить точность измерения. В раствор погружают микрокристалл и наблюдают его грань пирамиды в микроскоп в растворе в отраженном свете. Ведут рост микрокристалла до появления на грани пирамиды одиночных ступений роста, генерируемых одним центром роста. Уменьшают пересыщение T до прекращения их генерации и в момент прекращения генерации фиксируют T.. Определяют интервал ошибки измерений. Достигают увеличения точности измерений до 0,2^oС и производительности процесса на порядок. 1 ил.

Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, и может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и LiIO₃ (например, DKDP, ADP, RDP, BaNO₃, NaNO₃, КIO₃) из растворов и для исследовательских работ по изучению роста растворных кристаллов. Цель изобретения повышение точности измерения. На чертеже представлена схема устройства для измерения величины мертвой зоны. Устройство содержит статируемую кювету 1 с термометром 2 и закрепленным на нем монокристаллом 3, горизонтальный микроскоп 4 и осветитель 5. Для уменьшения вибраций микроскоп 4 и кювета 1 установлены на единой виброизолированной платформе 6. Термостатирование кюветы 1, в которую заливается исследуемый раствор, осуществляется водой, циркулирующей через ультратермостат (на чертеже не обозначен). П р и м е р 1. Измеряют минимальную величину пересыщения Т_ораствора для роста грани призмы кристалла LiIO₃. В раствор погружают микрокристалл 3 LiIO₃ сечением 1 мм². Наблюдение за микрокристаллом проводят с помощью горизонтального микроскопа 4 с увеличением в 70 раз. Предварительно по признакам роста и растворения монокристалла определяют температуру насыщения Т_нраствора, равную 20 0,5^оС. Затем в термостатируемой кювете 1 устанавливают пересыщение Т раствора, которое заведомо выше величины Т_о и при котором заведомо происходит рост граней призмы и пирамиды микрокристалла. В этом растворе ведут рост микрокристалла до появления на грани пирамиды, наблюдаемой в отраженном свете, одиночных ступеней роста, генерируемых одним центром роста. После появления одиночных ступеней на грани пирамиды с помощью ультратермостата задают режим уменьшения Т раствора в кювете 1 и в момент прекращения генерации одиночных ступеней фиксируют величину пересыщения Т_о. Для оценки интервала ошибки измерений ( Т_о Т) увеличивают пересыщение Т на малую величину Т до появления вновь картины одиночных ступеней. Величину Т, характеризующую точность измерения, получают 0,5^оС. Измеряют величину Т_о раствора LiIO₃, равную 6 1^оС. Ошибка 1^оС получается потому, что ошибка определения Т_н равна 0,5^оС и ошибка измерения верхней границы Т_оТ 0,5^оС. Достигают на порядок большей точности измерения, чем по прототипу и увеличения производительности процесса. П р и м е р 2. Процесс проводят, как в примере 1, но измеряют величину Т_о раствора для выращивания кристалла КДР. Получают значение величины Т_o, равное 6,5 0,2^оС. Достигают на порядок большей точности измерения, чем по прототипу, и увеличения производительности процесса. Способ по изобретению также позволяет определить интервал ошибки измерений, в котором заведомо лежит истинная величина Т_о, в то время как способ-прототип не обеспечивает получения интервала ошибки, так как позволяет только, увеличивая время измерения до нескольких суток, приближаться к значению Т_о с одной стороны с неопределенной ошибкой.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА T_o, СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ НАЧАЛУ РОСТА ГРАНЕЙ ПРИЗМЫ кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO₃, включающий погружение микрокристалла в раствор, наблюдение за его ростом, уменьшение пересыщения T и определение T_o, при котором происходит прекращение роста грани призмы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, рост осуществляют до появления на грани пирамиды одиночных ступеней роста, генерируемых одним центром роста, уменьшение T ведут до прекращения их генерации и в момент прекращения генерации фиксируют T_o.

РИСУНКИ

Рисунок 1