C30B7/02 - выпариванием растворителя — все патенты категории

Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов

№ 72801 Класс 12с, 2 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСТВОМ . СЬИДЕ1ЕГйзСГВУ Н. Н. Шефталь ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ УСТРАНЕН РАСТВОРА В АППАРАТАХ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 19 августа 1942 г. за ¹ 06-3-14(3169G6) в Народный комиссариат электронромыгнленности ГСГР При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно применяемых для этой цели, часто наблюдается местное пер...

72801

Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа

Класс 12с, 2 № 96144 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. А. Штернберг СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТАНОВКА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА Заявлено 30 апреля 1952 г. за № А-1507/1.15031 в Министерство промышленности средств связи Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 10 за 1953 г. Способы выращивания кристаллов из раствора путем его охлаждения извес...

96144

Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа

№ 96229 Класс 12с, 2 21а, 10 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА Заявлеио 25 ссптября (95! г. за ¹ ."(-825, !46097 в Л)((иистерсгво ПРО)(ЬШ)ЛЕIIII За C ICÒ Л!< ;!,!IC! 1 ПОГО Bhl lie! Pll BH I!!151 P H CT130P l I1 C.Il 51 . 1-(е.(OCT 11 OK BTOfо спо(0(3)l 3яК 110 1 ICTC5(В I ОЛ(, ITO ПО:)! СРС ПСП...

96229

Способ определения величины пересыщенияраствора

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советокиз Сациалистичвокин Реооублин Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 08,1Ъ .1966 (№ 1067712/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 31Х.1967. Бюллетень № 12 Дата опубликования описания 4.Л1.1967 Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Миииотров СССР 5,14 Авторы изобретения А. Н. Ко...

196711

Патент ссср 353469

353469 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. В 01) 17, 04 Заявлено 23.11.1971 (№ 1623516/23-26) с присоединением заявки ¹â€” Приоритет Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР ДК 66 085 52(088 8) Опубликовано 25.Xll.1972. Бтоллстснь ¹ 4 за 1973 Дата опубликова...

353469

Кристаллизатор для выращивания монокристаллов из растворов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (и> 4I27I3 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 14,07.71 (21) 1684711/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 15.12.74. Бюллетень № 46 Дата опубликования описания 20.1.75 (51) М. Кл. В 01j 17/04 Государственный комитет Совета Министрав СССР па делам и...

412713

Способ выращивания монокристаллов иодата лития

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

1290762

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -liio3

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходн...

1294027

Способ выращивания кристаллов -liio3

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике. Цель изобретения - повышение производительности способа и снижение себестоимости выращенных кристаллов. Способ включает испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, которая связана с кислотностью исходного раствора pH t0 следующим соо...

1309621

Способ измерения величины пересыщения раствора t, соответствующей началу роста граней призмы

Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO3 и позволяет повысить точность измерения. В раствор погружают микрокристалл и наблюдают его грань пирамиды в микроскоп в растворе в отраженном свете. Ведут рост микрокристалла до появления...

1464516

Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации

Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области. Приготавливают водный раствор иодата лития. Берут затравку Z-среза прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями и с соотношением сторон по плоскости и не менее . Кристаллизацию проводя...

1503346

Способ получения кристаллов

Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3). Способ включает приготовление исходного водного раствора соли LiIO3 с добавкой Н3РО4 (или D3PO4 при использовании в качестве растворителя тяжелой воды D2O, выдержку раствора не менее 2 ч при температуре toС, определяемой из интервала T1 < t < tкип, где t1 - тем...

1535077

Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов. Кристаллизацию ведут из одного раствора йода лития на прямоугольную затравку, ограненную по периметру гранями и с соотношением сторон не менее по соответствующим плоскостям. Причем размер грани выбир...

1605584

Способ выращивания монокристаллов йодата лития из раствора при непрерывном вытягивании растущего кристалла за пределы ростовой камеры

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов. Способ осуществляют путем выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации на затравку z-среза заданной формы изотермическим испарением водного раствора йодата лития, при это...

2291919

Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов. Выращивание монокристаллов осуществляют из раствора на прямоугольную затравку, изготовленную из Z-среза монокристалла, размер которой в направлении [] значительно меньше, чем в направлении [],...

2332529

Способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука

Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля. Кристаллы иодат...

2347859

C30B7/02 - выпариванием растворителя

Патенты в этой категории