Горнев Е.С. (RU)

 Использование: в газовой, угольной и других областях промышленности для регистрации водорода и газов метановой группы. Сущность: в газочувствительном датчике полевой транзистор расположен на диэлектрическом слое, сформированном на поверхности монокристаллического кремния. Затвор полевого транзистора снабжен двумя контактами для обеспечения его электрического нагрева до температуры разложе...

 Изобретение относится к области технологии кремниевых интегральных схем с субмикронными размерами. Скрытый диэлектрический слой донной части диэлектрической изоляции формируют путем термического окисления кремния с предварительным созданием слоя с радиационными дефектами в кремнии. Для этого используется метод имплантации ускоренных ионов элементов, не создающих в кремнии легирующих донор...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получа...

 Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов. Над вторым слоем диэл...

 Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей. Сущность изобретения: в способе создания структуры кремний - на - изолят...

Использование: для определения параметров слоев подзатворного диэлектрика. Сущность изобретения: в способе контроля качества тонких слоев подзатворного диэлектрика, позволяющем определять совокупность электрофизических параметров большого количества МДП-структур по всей пластине за один ее обход, измерения предпробойной ВАХ МДП-структуры, напряжения пробоя подзатворного диэлектрика и заряда, инжек...

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полост...

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препят...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем нанесение на подложку кремния первого слоя окисла кремния и первого слоя поликристаллического кремния, легирование первого слоя поликристаллического...