ЩУРКИН ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

  Изобретение относится к обработке материалов резанием, в частности к резке слитков монокристаллических полупроводниковых материалов с решеткой типа алмаза или сфалерита на пластины. Целью изобретения является повышение качества формируемых на пластинах полупроводниковых приборов и интегральных схем за счет иттерирования нарушенным слоем на нерабочей стороне пластины, бпособ з,акл...

  Изобретение относится к обработке материалов резанием, в частности к резке слитков полупроводниковых материалов с решеткой типа алмаза или сфарелита на пластины. Целью изобретения является повышение качества отрезаемых пластин за счет уменьшения их прогиба. Способ заключается в том, что применяют режущий инструмент, содержащий на разных сторонах режущей кромки абразивные зерна ра...

  Изобретение относится к области обработки материалов резанием и позволяет сократить расход обрабатываемого материала за счет уменьшения ширины пропила. Для этого в отрезном круге, содержащем корпус 2 с алмазоносным слоем 1, вьтолнены канавки 3, которые расположены на боковых поверхностях указанного слоя 1, Канавки 3 на одной из боковых поверхностей направлены в противоположную ст...