Кюрегян А.С.
Изобретатель Кюрегян А.С. является автором следующих патентов:
Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов
Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов, находящихся в перенасыщенных твердых растворах с ограниченной растворимостью, включающий выделение преципитатов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра примесей, содержащихся в преципитатах в концентрации, превышающей пороговую чувствительность M используемой методики локального анализа, образцы отжигают после...
1319692Фотодиод
Фотодиод, содержащий полупроводниковую структуру p+-n-n+-типа или p+-p-n+-типа с участком для доступа света, расположенным на свободной от электрических контактов поверхности n-слоя или p-слоя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения абсолютной интенсивности широких пучков света при сохранении внутреннего квантового выхода, близкого к единице, свободная поверхност...
1512430Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления
Использование: в полупроводниковой импульсной технике, а именно в полупроводниковых прерывателях тока, которые используются в оконечных каскадах генераторов высоковольтных импульсов наносекундного диапазона в качестве прерывателей тока индуктивного накопителя. Сущность изобретения: в высоковольтном диоде с резким восстановлением обратного сопротивления, который содержит два сильнолегирова...
2197034