Фотодиод

Фотодиод

Реферат

Фотодиод, содержащий полупроводниковую структуру p⁺-n-n⁺-типа или p⁺-p-n⁺-типа с участком для доступа света, расположенным на свободной от электрических контактов поверхности n-слоя или p-слоя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения абсолютной интенсивности широких пучков света при сохранении внутреннего квантового выхода, близкого к единице, свободная поверхность для доступа света образована плоскостью, расположенной под углом к плоскостям p⁺-n- или p-n⁺-переходов, или в виде углубления сферической формы с радиусом R со стороны слоя, имеющего тот же тип проводимости, что и средний слой, при этом должны выполняться следующие соотношения: D = 1,1L, L²/4d < R < 10³d, где d - толщина n- или p-слоев; - внутренний квантовый выход; - коэффициент поглощения света; L - ширина или диаметр облучаемого участка; N - концентрация примеси в среднем слое; R, D - радиус кривизны и диаметр основания сферического сегмента; A - (4 - 6) 10¹² см^-2; _gs = 1,1 эВ - константы, характерные для Si и Ge; _g - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала фотодиода.