Шлыгин П.Н.

 Фотодиод, содержащий полупроводниковую структуру p+-n-n+-типа или p+-p-n+-типа с участком для доступа света, расположенным на свободной от электрических контактов поверхности n-слоя или p-слоя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения абсолютной интенсивности широких пучков света при сохранении внутреннего квантового выхода, близкого к единице, свободная поверхност...