Альперович В.Л.

 Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов, содержащий расположенный на прозрачной подложке легированный полупроводниковый слой р-типа проводимости с активированной цезией и кислородом свободной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона и увеличения помехозащищенности, между легированным полупроводниковым слоем р-типа проводимости и по...

 Фотокатод с отрицательным электронным сродством, содержащий активный полупроводниковый слой р-типа, проводимости со слабо- и сильнолегированными областями, размещенный через буферный слой на подложке, и активирующее цезий-кислородное покрытие, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода за счет увеличения диффузионной длины фотоэлектронов при сохранении вероятност...

 Полупроводниковый фотокатод, содержащий полупроводник p-типа с активирующим покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода за счет увеличения поверхностного изгиба зон, на поверхность полупроводника p-типа нанесен полупроводниковый слой n-типа толщиной 3 - 10 с концентрацией доноров на единицу поверхности (1,8 - 2,2) 1017м-2.