Полупроводниковый фотокатод
Патент 1690503
Авторы
Классы МПК
Полупроводниковый фотокатод
Реферат
Полупроводниковый фотокатод, содержащий полупроводник p-типа с активирующим покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода за счет увеличения поверхностного изгиба зон, на поверхность полупроводника p-типа нанесен полупроводниковый слой n-типа толщиной 3 - 10 с концентрацией доноров на единицу поверхности (1,8 - 2,2) 1017м-2.