ШКЛЯЕВ А.А.

  Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к методам получения диэлектрических слоев. Цель изобретения - улучшение диэлектрических характеристик пленок. Пленки оксида кремния осаждают на подложке при 300-350 К, Подложку располагают на высокочастот- , ном электроде и возбуждают газовьп разряд плотностью мощности 0,3 - i,0 Вт/см . В качестве молекулярно...