Способ получения пленок оксида кремния

Способ получения пленок оксида кремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к методам получения диэлектрических слоев. Цель изобретения - улучшение диэлектрических характеристик пленок. Пленки оксида кремния осаждают на подложке при 300-350 К, Подложку располагают на высокочастот- , ном электроде и возбуждают газовьп разряд плотностью мощности 0,3 - i,0 Вт/см . В качестве молекулярного источника окиси кремния служат пластины кремния, нагретые в кислороде до 420-t550 К, Нагревают кремниевые пластины пропусканием через них тока. Процесс ведут при давлении 1(15 - 4,0 Па. в 5

СО!ОЭ СОаЕТСНИК

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09! (И! (51) 5

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

7 !, !, и

t: .;";,! lii- i .,"и;;!! ".!{И ! !БйИОТЕ-(А

Н АВТОРСКОМУ СвйДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (46) 23.07.90. Бюл. и 27 (21) 3980786/31-25 (22) 26.!!.85 (7!) Институт физики полупроводников

СО ЛН СССР (72) Л.Л.!!!кляев (53) 621, 382 (088. 8) (56) Лнохии Б.Г. и Бакун Л,В. Нане« сение пленок двуокиси кремния методом окисления моносилана. Электронная промьппленность, 1973, !! 7, с. 70-75.

Окисление, диффузия, эпитаксия.

Под. ред, Р,Бургера и Р.Донована.

М.: Мио, 1969, с. /6-78. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА

КРЕМНИЯ (57) Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к методам получения диэлектрических слоев. Цель изобретения улучшение диэлектрических характерис" тик пленок, Пленки оксида кремния осаждают на подложке при 300-350 К.

Подложку располагают иа высокочастот,ном электроде и возбуждают газовьп! разряд плотностью мощности 0,3—

1,0 Вт/см . В качестве молекулярного и источчика окиси кремния служат пластины кремния, нагретые в кислороде до 1420-1550 К, Нагревают кремниевые пластины пропусканием через них тока.

Процесс ведут при давлении 1,15—

4,0. Па.

13261!9

Пример 5. В режиме И

I,0 Вт/см, Т 1550 К и Рщ 4 Па наблюдается осаждение пленки со скоростью 25 А/мин, I

Редактор А.Бер Техред И.Попович Корректор Г.Решетник

Заказ 2489 Тираж 460 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул, Проектная ° 4

Изобретение относится к технологии полупроводниковой микроэлектронике, в частности к методам получе .ния диэлектрических слоев.

Цель изобретения - улучшение диэлектрических характеристик пленок.

П р и м .е. р 1. Осаждеиие пленок оксида кремния проводят в высокова.куумной системе с давлением остаточных газов — IO Па. В качестве источника SiO используют пластины кремния e,oðèåíòàöèåé поверхности (100), удельным сопротивлением .! Ом см и размерами 20 ° 5 ° 0,6 мм. Пластины устанавливают в тантаповые зажимы и нагревают пропусканием тока. Напротив пластин на расстоянии 120 мм на одном иэ электродов устанавливают подложку.

Осаждение пленок проводят при температуре подложки 300-350 К. Кислород напускают в реакционную камеру с помощью. вентиля-натекателя, содержание примесей в нем менее 1Х, Проводят осаждение пленки в следующем режиме: мощность высокочастотного разряда И=

= 0,3 Вт/ см, температура источника — 1420 К и давление кислорода P, =.

= 4 Па. Пленка растет со скоростью

„:86 А/мин.

Пример 2. Осаждают пленки в режиме Ч = 0,3 Вт/см,, Т = 1550 К н Р = 15 Па. Скорость роста пленки .40 А/мин.

П р.и м е р 3, Осаждение пленки в режиме И = 0,7 Вт/см Т = 1550 К и Рщ = 2 Па проходит со скоростью

35 А/мин, П р и и е р 4. При условиях М =

1,0 Вт/см, Т = 1420 К и Р

or.

1,15 Па корость осаждения пленки составляет 7 А/мин.

Пленки, полученные в условиях высокочастотного газового разряда, имеют большую величину напряжения

10 пробоя.3-5 "10 В/см, Эти пленки хаб рактериэуются малыми величинами то.— ков утечки, которые при комнатнбй б температуре в поле 3 10 В/см имеют величину 10 А/см . Диэлектрическая

16 проницаемость пленок, полученных в высокочастотном газовом разряде, сохраняет одинаковое значение., равное

4, 2, как при 300 К, так и при 77 К.

Это показатель того, что эти пленки

В

20 плотные, беэ пор. Получаемый состав пленок близок к термическому $1О, так как характеризуется таким же показателем преломления, 25Формула изобретения

Способ получения пленок оксида кремния, включающий создание потока окиси кремния на подложку путем на39 грена пластин кремния в кислороде и осаждение пленок оксида кремния на подложку прн 300-350 К, о т-л ич а ю шийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических характеЗ< ристик пленок, осаждение проводят в высокочастотном газовом разряде плотностью мощности 0,3-1 Î Вт/см на электроде, на котором расположена подложка, пластины кремния нагревают ,1О до температуры I420-1550 К, а давление кислорода поддерживают в диапазоне I 15-4,0 Па.