H01L21/31 - с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев

Способ изготовления высокочастотного кремниевого планарного транзистора

Ьс + ФИТ -,g -".; Ф ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия 3l6l35 Союз Советских социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 29.Х!!.1969 (№ 1390812/26-25) МПК H 01/ 3/12 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 01.Х.1971. Бюлле1спь ¹ 29 Дата опубликования описания 2 .Х11.1971 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете м...

316135

Патент ссср 329501

в > 1 ) САН И Е О П Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 17.IX.1970 (М 1478839!26-9) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 09.I I.1972. Бюллетень ¹ 7 Дата опубликования описания 28.111.1972 И. Кл. G 03f 7il0 Н 05k 3/00 Н 011 1/00 Комитет IIo делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР УДК 621.753,3:621....

329501

Способ получения пленок твердых материалов

Способ получения пленок твердых материалов путем распыления материала мишени ионами инертного газа с последующим осаждением на подложку в высоком вакууме триодной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества наносимых пленок, на подложку подают потенциал термокатода, к мишени прикладывают напряжение 500 - 1000 В относительно подложки, а плазму формируют в области под подложк...

615787

Защитная маска

(19)SU(11)795326(13)A1(51) МПК 5 H01L21/31(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЗАЩИТНАЯ МАСКА Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, в частности в способах химического ми...

795326

Шаблон для рентгеновской литографиии способ его изготовления

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик < >824345 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 24.0779 (21) 2801323/18-21 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 23.0481. Бюллетень N9 IS Дата опубликования описания 230481 (51)М. Кл.з Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий Н 01 L 21/31...

824345

Защитная маска

(19)SU(11)1220516(13)A1(51) МПК 5 H01L21/31(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ЗАЩИТНАЯ МАСКА Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, в частности к групповому химическому микропрофилированию кремниевых пластин. Цель...

1220516

Способ получения пленок оксида кремния

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к методам получения диэлектрических слоев. Цель изобретения - улучшение диэлектрических характеристик пленок. Пленки оксида кремния осаждают на подложке при 300-350 К, Подложку располагают на высокочастот- , ном электроде и возбуждают газовьп разряд плотностью мощности 0,3 - i,0 Вт/см . В качестве молекулярно...

1326119

Способ получения структур диэлектрик - арсенид индия

Способ получения структур диэлектрик-арсенид индия, включающий химическую обработку подложек арсенида индия, размещение их в кварцевом реакторе плазмохимической установки, откачку реактора, плазмохимическое осаждение слоев диоксида кремния и нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур за счет уменьшения плотности поверхностных состояний,...

1604097

Устройство для совмещения рисунка на маске с рисунком подложки

Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности S к рентгенографии, и предназначено для ис- . пользования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком интегральной схемы на подложке и экспонирования. Цель изобретения-повыщение выхода годных полупроводниковых приборов, путем повышения точности Совмещения рисунков топологических слоев на подл...

1618158

Способ изготовления вакуумного столика

Изобретение относится к технологии изготовления вакуумных устройств для фиксации распрямления тонких плоских деталей, например полупроводниковых пластин, в оптико-механическом и контрольно-измерительном оборудовании в процессах экспонированияиконтроля полупроводниковых пластин. Целью изобретения является упрощение технологического процесса изготовления устройства, уменьшение непл...

1734135

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии создания многоэлементных МДП-приборов на полупроводнике кадмий-ртуть-теллурид. Сущность: способ включает формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка. При этом слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С,...

1840192

Способ формирования микрорельефа

Использование: технгология производства конструктивных элементов планарных устройств, таких как преобразователи и отражательные решетки (Р) для поверхностных акустических волн, электроды для полупроводниковых приборов. Суицнсоть изобретения: способ изготовления Р пленочных элементов состоит в следующем. На поверхность подложки (П) наносят первый рабочий слой и поверх него слой фо...

2004037

Способ получения диэлектрического слоя на подложке из фосфида индия

Использование: микроэлектроника, получение диэлектрических покрытий на фосфиде индия. Сущность изобретения: для получения диэлектрического слоя на подложку из фосфида индия наносят пленку сульфида свинца толщиной 50 - 300 нм, затем формируют диэлектрическую пленку обработкой в потоке кислорода. Уменьшается плотность поверхностных состояний на границе раздела фосфид индия- диэлектрик. 1 т...

2017269

Способ получения слоев диоксида кремния

Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений AIIBVI и AIIIBV и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси моносилана, триметилфосфата и аргона или тетраэтоксисилана и кислорода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике и...

2029412

Способ фотохимического осаждения тонких пленок и устройство для его осуществления

Использование: в микроэлектронике для производства БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ включает нагрев подложки в реакторе атмосферного давления, подачу смеси реагирующих газов, облучение зоны осаждения вакуумным ультрафиолетовым излучением эксимерных молекул инертного газа газоразрядной плазмы барьерного типа при напряжении 1 - 20 кВ и частоте 1 - 20 кГц, причем спектр излучения выб...

2059322

Установка для осаждения тонких диэлектрических пленок

Использование: в технологии микроэлектроники. Сущность изобретения: в предложенной установке рабочую зону ограждают двумя проводящими сетчатыми электродами, расположенными над или между обрабатываемыми образцами, при этом сетки имеют форму и размеры, что и держатели подложек. 2 ил. Изобретение относится к технологии микроэлектроники, точнее к технологии осаждения диэлектрических пленок, н...

2062526

Способ напыления пленки на подложку

Изобретение относится к области создания новых материалов и придания уже используемым материалам новых свойств, а именно к способам получения направленной модификации поверхности. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности отказаться от использования высоковакуумного оборудования и повышении адгезии нанесенных пленок. Сущность: способ напыления пленок на подло...

2185006

Способ получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно к получению нанострукгурированных тонкопленочных материалов с заданными свойствами для микро- и наноустройств: микро- и наносенсоров, чипов, фотонных кристаллов и т.д. Сущность изобретения: в способе получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц путем структурирования подложки и последующего нанесения на него сло...

2387044

Способ изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей мере, одного слоя заданного диэлектрического материала пленки посредством плазмохимического осаждения с заданным режимом автосмещения, перед плазмох...

2419176

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения - в способе изготовления полупроводникового диода для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев, наносимые методом химического парофазного осаждения, а именно: диоксид кремния, фосфорно-силикатно...

2506660

Сетчатая микро- и наноструктура, в частности для оптически прозрачных проводящих покрытий, и способ её получения

Изобретение относится к химической промышленности, микроэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных проводящих покрытий, светопоглощающих и светопреобразующих слоёв для оптических и фотовольтаических устройств, самоочищающихся поверхностей, биометрических материалов, мембран, катализаторов. Сетчатую микро- и наноструктуру получают путём формирования на подл...

2574249

Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников

Изобретение относится к композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащей: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас. % композиции; амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и присутствует в количестве от 1 до 4 мас. % композиции; органический растворитель А выбран из группы, сос...

2575012

Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию поверхностных зарядовых состояний. Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения пленок изолирующих д...

2633894

Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающ...

2657096

Патенты в этой категории