Способ получения структур диэлектрик - арсенид индия

Способ получения структур диэлектрик - арсенид индия

Реферат

Способ получения структур диэлектрик-арсенид индия, включающий химическую обработку подложек арсенида индия, размещение их в кварцевом реакторе плазмохимической установки, откачку реактора, плазмохимическое осаждение слоев диоксида кремния и нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, напряжения гистерезиса высокочастотных вольт-фарадных характеристик и увеличения времени темновой релаксации неравновесной емкости, перед плазмохимическим осаждением слоев в камере активации формируют поток химически активных частиц путем зажигания ВЧ-разряда с удельной мощностью 5 - 10 Вт/см³ при суммарном давлении газовой смеси закиси азота и четырехфтористого углерода 0,3 - 5,0 Торр и соотношении величин потоков CF₄/N₂O = 1/120 - 1/50, после чего обрабатывают подложки при температуре 20 - 250^oC в реакторе потоком химически активных частиц при суммарной величине потока газовой смеси 10 - 60 мл/мин в течение 5 - 20 мин.