Мараховка И.И.

 Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжати...

 1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур з...

 Способ получения структур диэлектрик-арсенид индия, включающий химическую обработку подложек арсенида индия, размещение их в кварцевом реакторе плазмохимической установки, откачку реактора, плазмохимическое осаждение слоев диоксида кремния и нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур за счет уменьшения плотности поверхностных состояний,...

 Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокоч...