Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия

Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия

Реферат

 

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200^oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в пределах 0,125 - 0,333, а осаждение нитрида кремния проводят при суммарном рабочем давлении 50 - 100 Па и удельной мощности высокочастотного разряда 0,1 - 0,2 Вт/см³.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что напуск моносилана и аммиака производят раздельно.