Способ получения слоев оксинитрида кремния

Способ получения слоев оксинитрида кремния

Реферат

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см³, а подложку нагревают до 90 - 250^oC.