Патент ссср 329501

Патент ссср 329501

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

в

> 1

) САН И Е

О П

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17.IX.1970 (М 1478839!26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.I I.1972. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 28.111.1972

И. Кл. G 03f 7il0

Н 05k 3/00

Н 011 1/00

Комитет IIo делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.753,3:621.3.032 (088.8) Авторы изобретения Г. Д. Багратишвили, Ш. И. Шиошвили, Э. Н. Тряков, В. М. Крикун и Ю. А. Кулагин

Заявитель

ФОТОШАБЛОН

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры, в частности к изготовлению фотошаблонов.

Известен фотошаблон, выполненный в виде нанесенного на прозрачную, например стеклянную, подложку металлизированпого изображения требуемой функциональной схемы, покрытого слоем защитного материала, например двуокиси кремния.

Относительно низкая микротвердость (795 кг/млт2) пленки двуокиси кремния позволяет увеличить износостойкость фотошаблонов лишь в 1,5 — 2 раза. Кроме того, из-за близости значений коэффициентов преломления двуокиси кремния (n=1,4б2) и оптического стекла (n=1,5153), обычно используемого в качестве стеклянной основы фотошаблона, не достигается увеличение разрешающей способности фотошаблона.

Целью изобретения является повышение износостойкости и разрешающей способности фотоша блона.

Достигается это использованием в качсстве защитного покрытия пленки нитрида кремния (Ь4И4), характеризующейся микротвердостью 3337т-120 кг/мм и коэффициентом пр ел о мления n = 2 —: 2,02.

Защитная пленка нитрида кремния наносится на металлизированный фотошаблон, например, с помощью установки реактивного распыления типа УВН-Р.

Условия и режим нанесения пленок нитрнда кремния: давление азота в вакуумной камере

10 10 з лтлт рт. ст.; аподный ток 1,, „.=1 — 1,2 а; напряжение распыления мишени Ьрсс„——

=800 в; ток распыления IP,„,=90 — 95 лта;

15 скорость роста пленки ннтрида кремния

v =0,2 — 0,25 лгк/час; температура подложки в процессе осаждения пленки 150 — 170 С; толщина наносимой пленки нитрпда крсм20 нпя ds,, — — 0,15 лтк.

Испытания металлизированных фотошаблонов, защищенных пленкой 54Х4, в процессе коптактированпя и совмещения фотошаб25 IQH3. c IIo I) проводппко вой IIQQ.IO KDÉ залп увеличение пзносостойкости изготовленного таким образом фотошаблона по сравнению с нез-ù.è..ùå;ííûì не менее чем в десять раз, а разрешающей способности более чем в

30 два раза.

329501

Предмет изобретения

Составитель Д. Матевосов

Тскрсд А. Камышникова Корректор Е. Миронова

1 сдактор Г, Гончарова

Заказ 715/13 Изд. М 251 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Фотошаблон, выполненный В Виде нанесенного на прозрачную, например стеклянную, подложку металлизированного изображения требуемой функциональной схемы, покрытого слоем защитного материала, отличающийся тем, что, с целью увеличения износостойкостн и разрешающей способности фотошаблона, в качестве защитного слоя использова5 а пленка нитрида кремния.