Защитная маска

Защитная маска

Реферат

 

(19)SU(11)1220516(13)A1(51)  МПК ⁵    _H01L21/31(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) ЗАЩИТНАЯ МАСКА

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, в частности к групповому химическому микропрофилированию кремниевых пластин. Целью изобретения является уменьшение стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, получение мезаструктур различной высоты при одинаковом времени травления, уменьшение стоимости отдельных кристаллов, содержащим несколько мезаструктур. На фиг. 1 представлена топология защитной маски для формирования прямоугольной мезаструктуры; на фиг. 2 - топология защитной маски с Т-образными фигурами упреждения; на фиг. 3 - топология фигурам упреждения для создания мезаструктур различной высоты; на фиг. 4 - фрагмент топологии защитной маски для формирования нескольких мезаструктур. Принятые обозначения: 1 - маска мезаструктуры, 2 - маска Т-образных фигур упреждения, 3 - Т-образные фигуры упреждения, 4 - широкий луч, 5 - узкий луч, 6 - изменение положения следа грани с высокой скоростью травления в процессе стравливания фигур упреждения. П р и м е р. Изготавливают квадратную мезаструктуру со стороной 50 мкм высоты 200 мкм в лунке, минимально допустимое расстояние между мезаструктурой и стенкой лунки составляет 200. 280 мкм. Используют травитель состава 33% раствора едкого калия при 100^оС. Скорость травления в глубину составляет 3,0 мкм/мин, скорость стравливания заостренного конца луча фигуры упреждения 10 мкм/мин и угол наклона грани с высокой скоростью травления, выходящей на конце луча, к оси этого луча составляет 27^о, при шиpине лучей фигур упреждения 40 мкм суммарная длина луча и соединительной полоски составляет 650 мкм. (56) Патент Японии N 49-48272, кл. H 01 L 21/31, 1974. Авторское свидетельство СССР N 795326, кл. H 01 L 21/31, 1979.

Формула изобретения

1. ЗАЩИТНАЯ МАСКА для группового создания на кремниевой подложке (100) прямоугольных мезаструктур малых размеров, со сторонами ориентированными вдоль направлении < 110 >, локальным анизотронным травлением, содержащая Т-образный фигуры упреждения с узким и широким лучами, стороны которых ориентированы вдоль направлений < 110 >, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, узкий луч Т-образной фигуры соединяется с маскированной областью, ограничивающей лунку травления, широкий луч Т-образной фигуры располагается вдоль стороны маски мезаструктуры, ширина промежутков, отделяющих этот луч от других элементов маски, определяется разрешением фотолитографии. 2. Защитная маска по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью получения мезаструктур различной высоты при одинаковом времени травления, широкий луч Т-образной фигуры соединяется маскированными дорожками перпендикулярно стороне маски мезаструктуры, стороне маски, ограничивающей лунку, травления, маске Т-образной фигуры упреждения на одном из смежных углов, полоске, соединяющей лучи Т-образной фигуры упреждения с вершиной маски мезаструктуры. 3. Защитная маска по п. 2, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих несколько мезаструктур, широкие лучи Т-образных фигур упреждения, расположенные между мезаструктурами, имеют ширину максимально близкую к половине ширины канавки между мезаструктурами, четыре узких луча фигур упреждения объединяются прямоугольной маскированной областью в промежутках между четырьмя мезаструктурами, широкие лучи, расположенные друг напротив друга, соединяются маскированными дорожками, перпендикулярными сторонам лучей.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4