Вербицкая Е.М.

 Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней измене...

  Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ядерных излучений. Целью изобретения является улучшение разрешающей способности детектора. Цель достигается выполнением детектора в виде p+-n-n+ - структуры на основе кремниевой монокристаллической подложки со слоем двуокиси кремния, ограничивающим p+ - область контактов. При этом подложка выполнена с удельным сопротивлением 100 Oм cм3...