Насекан О.С.

 1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что,...

 Фототиристор, содержащий по крайней мере четыре слоя чередующегося типа проводимости с катодным и анодным контактами на главных поверхностях, первый и четвертый слои которого являются эмиттерами, а второй и третий - базами, причем первый эмиттерный слой n-типа проводимости разделен на две области - основной и вспомогательный эмиттеры, а вспомогательный эмиттер содержит область зажигания и...