Абросимова В.Н.

 Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однороднос...

 Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со с...