СТЕПАНЧИКОВ В.А.

  Изобретение относится к производству термоэмиссионньк преобразователей и служит для повышения их эффективности. Грань монокристалла Мо 110j с разориентацией от плоскост поверхности не более 2 обрабатывают ионами О дозой ЫО . . .5 10 юн/см при ускоряющем напряжении 80...10G кВ и температуре образца 20...50 с. В процессе работы устройства О выходит на поверхность, образуя кислородн...

  Изобретение относится к тёрмоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано при изготовлении электродов термоэмиссионного преобразователя энергии (ТЭП) преимущественно коллектора. Цель изобретения - повышение вакуумной работы выхода коллектора. Имплантация кислорода в молибденовый коллектор проводится при комнатной температуре в ваку...

  Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано при изготовленни термоэмнссионных преобразователей (ТЭП). Цель изобретения - повышение скорости и качества очистки , достигается увеличением глубины очистки поверхностного слоя и обеспечением возможности очистки непосредственно в собранном ТЭП. В электрод ТЭП...

  Изобретение относится к металлургии и может быть использовано при об работке поверхностей изделий посредством ионной имплантации для повышения циклической прочности, коррозионной стойкости, износостойкости и модифицирования свойств поверхностных слоев диэлектриков. Целью изобретения является повышение ресурса работы изделий. Для этого облучение поверхности изделия производят кваз...