Способ очистки поверхности электрода термоэмиссионного преобразователя от углерода и его соединений

Способ очистки поверхности электрода термоэмиссионного преобразователя от углерода и его соединений

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано при изготовленни термоэмнссионных преобразователей (ТЭП). Цель изобретения - повышение скорости и качества очистки , достигается увеличением глубины очистки поверхностного слоя и обеспечением возможности очистки непосредственно в собранном ТЭП. В электрод ТЭП на ионно-лучевом ускорителе проводят имплантацию кислорода дозой 10 - 101 ион/см с ускорением 60 - 80 кэВ. Затем электрод помердают в вакуумную камеру или устанавливают на рабочее место в ттп. Получив вакуум с остаточным давлением не выше 6,65 Ю Па, электрод нагревают и отжигают в течение 3 - 4 ч при 750 - 850 С. При этом поверхность электрода на глубину около 1ОООА очищается от углерода и его соединений . Способ не требует предварительной тренировки установки, сокращает время обечгаживания и улучшает качество очистки поверхности электрода, что повышает ресурс работы ТЭП, i (Я с

сОюз сОВетсних сОциАлистичесних

РЕСПУБЛИН..A1 (19) (И) (»)5 Н 01,Т 45/00 0 21 D 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И :83Р,". "

1 (,тп:ч. „ юЛ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Параметры способа обоснованы экспериментальным путем, Уменьшение ускоряющего напряжения до 30, 40 и !

50 кэВ принодит к заметному уменьшению глубины залегания максимуМа содержания кислорода в приповерхностном слое и, как следствие, к уменьшению глубины очистки, Увеличение ускорения до 100 120 кэВ не приво-. дит к увеличению глубины залегания максимума распределения концентраГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ по изсьРетениям и отбытиям пРи Гннт сссР (46) 23. 09. 90. Бюл. Ф 35 (2!) 4302834/?4-21 (22) 26,08.87 (72) С.С.Геращенко, M.И,Гусева, В.A.Êoðèêèí, В.А.Степанчиков, 10.В.Никольский, E.Â.Êëèìåíêî и И.Н,Эасимонич (53) 621 .362 (088.8) (56) Геращенко С.С.. и др. !".нязь степени совершенства кристаллов и их электронных параметров. В кн. Металлические монокристалли. Наука, 1976, с. I 50-1 56.

Агеев В.Н. и др. Окисление углерода, айсорбиронанного на иридии. ьТТ, 1981, т,23, вып.8, с, 7280-?289, (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ

ЭЛЕКТРОДА ТЕРМОЭМИССИОННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ОТ УГЛЕРОДА И ЕГО СОЕДИНЕНИЙ (57) Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую

J и может быть использовано при изгоИзобретение относится к технологии изготовления электродов термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) .

Целью изобретения является повышение скорости и качества очистки электрода.

Поставленная цель достигается за счет возможности осуществления процесса непосредственно в собранном

ТЭП и увеличения глубины очистки поверхностного слоя. товлении термоэмиссионных преобразователей (ТЭП). Цель изобретения— повышение скорости и качества очистки, достигается увеличением глубины . очистки поверхностного слоя и .обеспечением возможности очистки непосредственно н собранном ТЭП. В электрод ТЭД на ионно-лучевом ускорителе проводят имплантацию кислорода дозой

10 — 2-10 ион/см с ускорением

1& цЧ Я

60 — 80 кэВ. Затеи электрод помещают в вакуумную камеру или устанавливают на. рабочее место в ТЗЛ..Получив вакуум с остаточным давлением не ныше 6, 65 10 Па, элек трод нагревают и отжигают н течение 3 — 4 ч при о

750, 850 С. При этом поверхность о электрода на глубину около 1000А очищается от углерода и его соединений. Способ не требует предварительной тренировки установки, сокращает время обеэгаживания и улучшает качество очистки поверхности электрода что повышает ресурс работы ТЭП

1475417

Формула изобретения

Составитель В.Синянский

Техред N.Õîäàíè÷ Корректор В.Гирняк

Редактор Т,Куркова

Заказ 3331 . Тираж 400 Подписное

ВНИИП11 Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãoðîä, ул, Гагарина, 101 ции кислорода и, следовательно,глубины очистки из-за .увеличения скорости распыления приповерхностного слоя ионами кислорода в процессе имплантации. При давлении оста гочньцс газов више 6,65 10 Па происходит адсорбция углерода Ма поверхность из остаточного вакуума, что снижает эффективность способа, так как имплан. тированньй кислород расходуется на взаимодействие с адсорбирующим углеродом и последующую десорбцню в виде С0, Ф

Для осуществления способа в электрод ТЭП на ионно-лучевом ускорителе проводят имплантацию кнслорода дозой

1О - 2 10 ион/см с ускорением

46 17 Я

60-80 кэВ. Затеи электрод помещают в вакуумную камеру или устанавливают на рабочее кесто в ТЭП и, получив вакуум не ниже 6,65 10 Ла, электрод нагревают и отжигают при 750-850 С в течение 3-4 ч. При этом поверхность электрода на глубину около 1000 А очищается от углерода и его соединений, Пример. Способ реализован на электроде из монокристаллического

Э молибдена. Имплантация кислорода осуществлена с суммарной дозой 2 х х l0 ион/см . После этого электро!

1 2

5 ды отжигались при 750 и 850 С с одновременным контролем времени очистки поверхности от углерода, Полная очистка поверхности от углерода в первом случае осуществлена за

180 мин, а во втором — за 200 мин, Глубина очистки составила около

1000 А. е

Способ очистки поверхности электрода термоэмиссионного преобразов„ателя от углерода и его соединений, включающий нагрев и отжиг электрода в вакууме в присутствии кислорода, о т.л и ч а ю шийся тем, что, с целью повьппения скорости и качества электрода из молибдена, перед нагревом в приповерхностный слой

25 электрода имплантируют HQHbl кислорода дозой 10 — ? 10 иои/см и ,энергией 60 — 80 кзВ, а отжиг осуществляют в течение 3 - 4 ч при 750-850 С и давлении остаточных газов не более 6,65 10 Ла. !