Крымский А.И.

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузионной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него восемь затворов, причем первый, второй, третий, четвертый и пятый затворы расположены последовательно и каждый из них зарядно связан с рядом расположенными затворами, стокову...

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, третий изолирующий затвор имеет зарядовую связь с вторым входным затвором.

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введена дополнительная управляющая шина, а третий затвор зарядно связан с вторым передающим затвором второй ячейки передачи заряда и электрически соединен с дополнительной управляющей шиной.

  Изобретение относится к области интегральной мирокэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения увеличение точности подавления неинформационных компанент сигнала. В устройство введены общая шина записи и блок предпроцессорной обработки с сигнальным входом и компенсирующим выходом, а в каждый канал введены т...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Целью изобретения является повышение чувствительности. Поставленная цель достигается за счет введения транзисторов выборки, что позволяет при опросе каждого из каналов передать на выход устройства две выборки напряжения. Первая выборка соответствует исходному потенциалу на плава...

 Изобретение относится к фотометрии и микроэлектронике и может быть использовано при создании многоэлементных интегральных фотоприемных устройств. Цель изобретения снижение рассеиваемой мощности. Преобразователь содержит соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь 1 интенсивности света в ток и интегрирующий элемент 2, ключевой МДП транзистор 3, нагрузочный МДП транзистор 4 то...

  Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения повышение чувствительности путем повышения точности подавления неинформационных компонент сигнала. Многоканальное устройство считывания на ПЗС содержит в каждом канале дополнительную диффузионную область противоп...

 Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может использоваться в устройствах обработки сигнала с многоэлементных ФПУ. Цель изобретения - упрощение устройства и снижение рассеиваемой мощности в ФПУ. Устройство включает фотоприемник, первый, второй, третий МДП транзисторы, емкость накопления, причем исток первого МДП транзистора соединен с фотоприемником, а сток - с истоком вт...

 Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью по авт. св. N 1702829, отличающееся тем, что, с целью повышения однородности скорости адаптации при вычитании постоянных и медленно меняющихся во времени неинформационных компонент сигналов индивидуально по каждому каналу, устройство дополнительно содержит диффузионную область и два затвора, зарядно связанных со вторым за...

 Преобразователь интенсивности света в частоту, содержащий соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь интенсивности света в ток и элемент, интегрирующий ток, первая обкладка которого заземлена, ключевой МДП-транзистор, исток которого соединен с второй обкладкой интегрирующего элемента, нагрузочный МДП-транзистор, исток которого соединен со стоком ключевого МДП-транзистора, а...

 Преобразователь интенсивности света в частоту, содержащий соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь интенсивности света в ток и первый интегрирующий элемент, первый ключевой МДП транзистор, исток которого соединен с первой обкладкой первого интегрирующего элемента, первый нагрузочный МДП транзистор того же типа проводимости, что и первый ключевой МДП транзистор, исток кото...