Преобразователь интенсивности света в частоту

Преобразователь интенсивности света в частоту

Реферат

Преобразователь интенсивности света в частоту, содержащий соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь интенсивности света в ток и первый интегрирующий элемент, первый ключевой МДП транзистор, исток которого соединен с первой обкладкой первого интегрирующего элемента, первый нагрузочный МДП транзистор того же типа проводимости, что и первый ключевой МДП транзистор, исток которого соединен со стоком первого ключевого МДП транзистора, а сток является выходом преобразователя, причем подложка первого ключевого МДП транзистора соединена с подложкой первого нагрузочного МДП транзистора, а также со второй обкладкой первого интегрирующего элемента и первым источником питания, источник тока и соединенный с ним параллельно второй интегрирующий элемент, второй ключевой и второй нагрузочный МДП транзисторы, комплементарные первому ключевому МДП транзистору, причем исток второго ключевого МДП транзистора соединен с первой обкладкой второго интегрирующего элемента, его затвор - со стоком первого ключевого МДП транзистора, а его сток - с истоком второго нагрузочного МДП транзистора и с затвором первого ключевого МДП транзистора, при этом подложка второго нагрузочного МДП транзистора соединена с подложкой второго ключевого МДП транзистора, а также со второй обкладкой второго интегрирующего элемента и со вторым источником питания, а затворы нагрузочных МДП транзисторов соединены с источниками опорных напряжений, отличающийся тем, что, с целью упрощения преобразования за счет введения режима синхронизации, в него введены первый МДП транзистор предустановки, имеющий тот же тип проводимости, что и первый ключевой МДП транзистор, второй МДП транзистор предустановки, комплементарный первому ключевому МДП транзистору, причем исток первого МДП транзистора предустановки соединен с первой обкладкой первого интегрирующего элемента, исток второго МДП транзистора предустановки соединен с первой обкладкой второго интегрирующего элемента, его затвор соединен с третьим источником напряжения, а его сток соединен с затвором первого МДП транзистора предустановки, при этом подложка первого МДП транзистора предустановки соединена с подложкой первого ключевого МДП транзистора, а подложка второго МДП транзистора предустановки соединена с подложкой второго ключевого МДП транзистора.