Черепов Е.И.

 Способ определения количества кремния в пленках алюминия путем электрохимического анодного растворения контролируемой пленки с последующим определением количества электричества, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности при определении до 0,1 вес.% количества кремния в пленке алюминия, контролируемую пленку предварительно наносят на подложку - свидетель из кремн...

 Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществля...

 Устройство ввода на приборах с зарядовой связью, содержащее МДП транзисторы, шины управления и ячейку ввода, затворы которой изолированы от полупроводниковой подложки диэлектриком, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство содержит дополнительную ячейку ввода, причем входной затвор дополнительной ячейки ввода электрически изолирован от шин управления, расположе...

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности работы в режиме с непрямой инжекцией, оно дополнительно содержит два затвора, причем эти затворы зарядно связаны между собой и расположены между входной диффузионной областью и первым входным затвором.

 Измерительный мост полной проводимости, содержащий усилитель в измерительной диагонали моста, детектор, соединенный с индикатором, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерения импеданса МДП-структур, в него введены узкополосный фильтр (например, кварцевый), фазовый детектор, индикатор активной составляющей проводимости, блок стабилиз...

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее подложку с входной областью, слой диэлектрика с расположенными на нем входным затвором, затвором накопления, затвором переноса, а также последовательно расположенные и связанные зарядовой связью первую стоковую область, первый затвор, вторую стоковую область, второй затвор, который электрически связан с входным затвором и...

 (19)SU(11)1044204(13)A1(51)  МПК 6    H01L27/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информаци...

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной и стоковой диффузионными областями с противоположными подложке типом проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него зарядно связанные первый входной затвор, затвор накоплений, затвор переноса, изолирующий затвор и затворы 1, 2, 3 регистра считывания, причем входная диффузио...

 Измерительный мост полной проводимости по авт.св. 999774, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем увеличения диапазона частот проводимых измерений, в него введены гетеродин, два смесителя и фильтр измерительных частот, причем первый смеситель включен между измерительной диагональю четырехплечевого моста и усилителем, узкополосный фильтр соединен со втор...

 Пороговый электровоспламенитель, содержащий полупроводниковую подложку, МДП-конденсатор, на обкладку которого нанесено взрывчатое вещество, и выводы с контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты электровоспламенителя от воздействия высоковольтного напряжения, упрощения конструкции и технологии изготовления, в него введен дополнительный МДП-конденс...

 Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей сп...

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путе...

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузионной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него восемь затворов, причем первый, второй, третий, четвертый и пятый затворы расположены последовательно и каждый из них зарядно связан с рядом расположенными затворами, стокову...

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, третий изолирующий затвор имеет зарядовую связь с вторым входным затвором.

 Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введена дополнительная управляющая шина, а третий затвор зарядно связан с вторым передающим затвором второй ячейки передачи заряда и электрически соединен с дополнительной управляющей шиной.

  Изобретение относится к области интегральной мирокэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения увеличение точности подавления неинформационных компанент сигнала. В устройство введены общая шина записи и блок предпроцессорной обработки с сигнальным входом и компенсирующим выходом, а в каждый канал введены т...

 Запоминающее устройство на приборах с инжекцией заряда, содержащее накопитель, каждая ячейка памяти которого состоит из матрицы приборов с инжекцией заряда и группы транзисторов, истоки которых объединены, стоки соединены с электродами хранения приборов с инжекцией заряда соответствующего столбца ячейки, а затворы - с соответствующими адресными шинами устройства, к разрядным шинам накопит...

 Линия задержки электрического сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащая устройство ввода зарядового пакета, последовательно соединенное с регистром сдвига заряда, содержащим N ячеек задержки, выходное устройство, последовательно соединенное с N-й ячейкой задержки, при этом регистр сдвига заряда содержит n отводов от ячеек задержки, соединенных с n усилителями считывания информаци...

 Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью, содержащее регистр, n фотоэлектрических преобразователей, каждый из которых состоит из последовательно соединенных фотоприемника и прибора с зарядовой связью, входы фотоприемников соединены с шиной смещения, первые и вторые входные затворы каждого прибора с зарядовой связью соединены соответственно с первой и второй шина...

 Изобретение относится к фотометрии и микроэлектронике и может быть использовано при создании многоэлементных интегральных фотоприемных устройств. Цель изобретения снижение рассеиваемой мощности. Преобразователь содержит соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь 1 интенсивности света в ток и интегрирующий элемент 2, ключевой МДП транзистор 3, нагрузочный МДП транзистор 4 то...

 Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может использоваться в устройствах обработки сигнала с многоэлементных ФПУ. Цель изобретения - упрощение устройства и снижение рассеиваемой мощности в ФПУ. Устройство включает фотоприемник, первый, второй, третий МДП транзисторы, емкость накопления, причем исток первого МДП транзистора соединен с фотоприемником, а сток - с истоком вт...

 Преобразователь интенсивности света в частоту, содержащий соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь интенсивности света в ток и элемент, интегрирующий ток, первая обкладка которого заземлена, ключевой МДП-транзистор, исток которого соединен с второй обкладкой интегрирующего элемента, нагрузочный МДП-транзистор, исток которого соединен со стоком ключевого МДП-транзистора, а...

 Преобразователь интенсивности света в частоту, содержащий соединенные параллельно фотоэлектрический преобразователь интенсивности света в ток и первый интегрирующий элемент, первый ключевой МДП транзистор, исток которого соединен с первой обкладкой первого интегрирующего элемента, первый нагрузочный МДП транзистор того же типа проводимости, что и первый ключевой МДП транзистор, исток кото...

  Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений AIIBVI и AIIIBV и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси моносилана, триметилфосфата и аргона или тетраэтоксисилана и кислорода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике и...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в специализированных вычислительных машинах и устройствах обработки данных. Вычислитель рангов содержит регистр 1 сдвига, группу компараторов 2-5, группу многоразрядных элементов 11-24 задержки, сумматор 6, группу трехвходовых сумматоров 25-28, группу элементов 7-10 НЕ. Введение (N-1) групп одноразрядных элементов за...