Способ изготовления полупроводниковых структур
Патент 1228711
Авторы
- Гершинский А.Е.
- Гурский Ю.Н.
- Кузнецов Ю.М.
- Кузьмин П.В.
- Сулимин А.Д.
- Трайнис Т.П.
- Черепов Е.И.
- Шалыгина Н.А.
- Шурочков И.О.
Классы МПК
Способ изготовления полупроводниковых структур
Реферат
Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.