Трайнис Т.П.

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путе...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем формирование диэлектрического слоя, осаждение слоя поликристаллического кремния и металлического слоя на первой пластине кремния, соединение ее со вто...

 Изобретение относится к электронной технике, конкретно к электронно-оптическим преобразователям изображения. Техническим результатом является повышение чувствительности пироэлектрического электронно-оптического преобразователя - пироЭОПа за счет увеличения поглощения излучения мишенью, а также устраняет недостаток прототипа, заключающийся в практической неосуществимости пироЭОПа прототипа...