Сулимин А.Д.

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с боковой диэлектрической изоляцией, включающий операции термического окисления, нанесение диэлектрического слоя, селективное травление по отношению к окислу кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях, легирование для формирования базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемы...

 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЯХ, включающий формирование первого и второго маскирующих слоев, фотолитографию и травление, отличающийся тем, что, с целью получения узких отверстий, после формирования на первое максирующее покрытие наносят слой поликристаллического кремния, формируют на его поверхности вспомогательное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для полик...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции термического окисления, создания боковой диэлектрической изоляции, нанесения диэлектрического слоя, селективного травления диэлектрического слоя, вскрытия окон в диэлектрических слоях, легирования пассивной и активной базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающ...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легир...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подле...

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путе...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников. Способ включает следующие операции. На подложке формируют проводники. Наносят диэлектрическую пленку. Наносят пленку резиста. Над центральной частью поверхности проводников пле...

 Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями. Цель изобретения - повышение надежности и выхода годных изделий. Способ включает формирование проводников нижнего уровня, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, сглаживание рельефа магнетронным ВЧ-распылением...

 Использование: изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность: на прозрачной подложке формируют затворные электроды, затворный диэлектрик и слой аморфного гидрогенизированного кремния. По рисунку структуры наносят контактный слой легированного кремния. По маске в виде островков фоторезиста формируют области контактов к слою аморфного гидрогенизированного кремния и электроды истока и ст...

 Изобретение относится к коррозионным исследованиям материалов, а именно к определению скорости коррозии металлических конструкций в условиях подземной, атмосферной или морской коррозии, и может быть использовано в газовой промышленности при эксплуатации магистральных газопроводов. Способ контроля скорости коррозии заключается в том, что размещают в коррозионной среде контролируемый объект...

 Способ обнаружения и контроля дефектов на металлических поверхностях объектов относится к измерительной технике, а именно к контролю состояния поверхности нагруженных металлических сооружений и объектов, установленных в коррозионных средах различной степени агрессивности в условиях подземного, атмосферного или подводного воздействия, в частности для обнаружения и контроля развития трещин...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем формирование диэлектрического слоя, осаждение слоя поликристаллического кремния и металлического слоя на первой пластине кремния, соединение ее со вто...

 Использование: микроэлектроника, производство СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в структуре - кремний на изоляторе для СБИС, содержащей первый и второй кремниевые слои, диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое, предназначенном...

 Использование: в электронной технике для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим р-n переходам и межсоединений. Сущность изобретения: на кремниевую подложку, в которой известными методами сформированы активные области и контактные окна в слое диэлектрика, маскирующем поверхность кремниевой подложки, наносят пленку трехкомпонентного сплава, первый компонент которо...