Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии

Реферат

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, позволяющих измерять глубину залегания мелких n-p- или n⁺-p-переходов, электрохимическое травление n или n⁺-слоя проводят при одновременном приложении напряжения 0,5 - 3,0 В к системе кремний n-типа или n⁺-типа - электролит и прямого напряжения к n-p- или n⁺-p-переходу, обеспечивающего в n-p- или n⁺-p-переходе тока в диапазоне 0,1 - 200 мА/см², причем границу изменения типа проводимости обнаруживают по достижению током растворения величины, характерной для растворения кремния p-типа.