Миронова Л.В.

 Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей сп...

 Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемо...

 Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона опред...

 Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистилл...

  Использование: разделение веществ, очистка водопроводной воды. Сущность изобретения: раствор ацетата целлюлозы формуют на пористую подложку. Полученную мембрану термообрабатывают при 50 - 60°С. Используют ацетат целлюлозы с химической формулой [C6H7O2(OCOCH3)x(OH)y(OSO3H)z]n , где x= 2,49 - 2,61; y= 0,384 - 0,507; z= 0,003 - 0,06; n= 190 - 230. 3 табл. Изобретение относится к получению п...

 Использование: полупроводниковая технология, создание структур кремний-на-изоляторе для производства современных сверхбольших интегральных схем и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе состоит в имплантации водорода в интервале доз 2,51016 - 51016 см-2 в первую пластину кремния через тонкий защитный слой окисла толщиной 20...

 Изобретение относится к области получения полимерных полупроницаемых мембран и может найти применение для разделения водных растворов в пищевой и химической отраслях промышленности, при обессоливании и очистке воды, в медицинской технике, при создании бытовых водоочистителей. Ацетат целлюлозы модифицируют фталевым ангидридом или янтарной кислотой при температуре 80-85oС в течение 2,5-3 ч...

 Изобретение относится к огнезащитным лакокрасочным материалам и предназначено для использования, например, в строительстве. Огнезащитная краска включает непластифицированную полимерную дисперсию акрилового сополимера с винилверсататом, меламин, пентаэритрит, низкомолекулярную акриловую дисперсию, натрийкарбоксиметилцеллюлозу, производные изотиазолона, двуокись титана, полифосфат аммония,...