Левицкий К.Б.

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Целью изобретения является повышение надежности и технологичности без ухудшения его частотных свойств, в транзисторе, содержащем двухуровневую систему металлизации гребенчатого типа, зубцы гребенки эмиттерной металлизации, проходящие поверх слоя изолирующего нижний уровень металлизации от верхнего, расположены над и вдоль эмиттерных...

 Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. Цель - улучшение энергетических параметров путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами. Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, баз...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике. Целью изобретения является увеличение надежности биполярных транзисторов за счет снижения перегрева центральных областей транзисторной структуры, что достигается в биполярном транзисторе с полосковыми эмиттерными электродами и двухуровневой системой металлизации эмиттерные контактные окошки расположены по отношению в каждому эмиттерному э...