Биполярный мощный транзистор

Биполярный мощный транзистор

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Целью изобретения является повышение надежности и технологичности без ухудшения его частотных свойств, в транзисторе, содержащем двухуровневую систему металлизации гребенчатого типа, зубцы гребенки эмиттерной металлизации, проходящие поверх слоя изолирующего нижний уровень металлизации от верхнего, расположены над и вдоль эмиттерных электродов, а зубцы гребенки базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под вышеуказанным изолирующим слоем. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструированию мощных биполярных транзисторов. Цель изобретения - повышение надежности и технологичности транзистора без ухудшения частотных свойств. На фиг. 1 показан разрез структуры биполярного мощного транзистора в направлении, перпендикулярном зубцам эмиттерной металлизации; на фиг.2 - детали конструкции транзистора с верхним уровнем металлизации (случай контактирования одного зубца гребенки эмиттерной гребенчатой металлизации с одним эмиттерным полосковым электродом). Транзисторная структура мощного транзистора изготовлена на базе кремниевого кристалла 1, который имеет низкоомный n⁺-слой 2 с удельным сопротивлением p = 0,01 ом см высокоомный n-слой 3 с p = =0,75 ом см. Транзисторная структура включает базовую область 4 p-типа, в которой располагается эмиттерная область n⁺-типа, состоящая из множества дискретных полосковых эмиттерных электродов 5 шириной 1,2-1,5 мкм и контактных окошек 6 в слое 7 двуокиси кремния толщиной 0,3 мкм. Ширина контактных окошек 6 на 0,2-0,3 мкм меньше ширины эмиттерных полосковых электродов 5. В промежутках между эмиттерными полосковыми электродами 5 параллельно им расположены продолговатые окошки 8 шириной 1-1,5 мкм в слое 7 двуокиси кремния для контакта металлизации с базовой областью 4 транзисторной структуры. Окошки 6 и 8 в слое 7 двуокиси кремния покрыты металлическими полосками 9 и 10, изготовленными из молибдена толщиной 0,2 мкм и p = 0,75 ом см. Металлические полоски 9 над эмиттерным полосковым электродом 5 могут быть заменены легированным поликремнием или вообще отсутствовать, если ширина эмиттерного полоскового электрода 5 позволяет протравить в нем контактное окошко меньше его ширины. В данном случае металлическая полоска или полоска из поликремния над эмиттерным полосковым электродом 5 имеет чисто технологическое значение. Они предотвращают разрушение слоя 7 двуокиси кремния над эмиттерным переходом во время травления окошек 11 в слое 12 двуокиси кремния, изолирующего нижний уровень металлизации от верхнего. Окошки 11 расположены непосредственно над эмиттерными электродами 5. Верхний уровень металлизации эмиттерной области выполнен из алюминия толщиной 1 мкм в виде гребенки, зубцы 13 которой имеют ширину 4 мкм и расположены над и вдоль полосковых эмиттерных электродов. В основании зубцов эмиттерной металлизации расположены уравнивающие сопротивления 14, выполненные из нихрома с поверхностным сопротивлением 10 Ом/ . Основание 15 гребенки эмиттерной металлизации верхнего уровня совмещено с контактной площадкой для присоединения вывода. Базовая металлизация транзисторной структуры гребенчатого типа, зубцами которой являются молибденовые полоски 10 шириной 2,5 мкм, расположена под окислом, изолирующим нижний уровень металлизации от верхнего, а основание базовой гребенки 16 расположено сверху указанного изолирующего окисла и сообщается с зубцами через окошки 17 в изолирующем слое 12 двуокиси кремния. Предлагаемая конструкция была изготовлена с использованием известных технологических процессов. Технико-экономическая эффективность изобретения по сравнению с известным заключается в существенном увеличении долговечности транзистора, улучшении его устойчивости к вторичному пробою и технологичности его изготовления.

Формула изобретения

БИПОЛЯРНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР, включающий полосковые эмиттерные электроды и двухуровневую эмиттерную и базовую металлизации гребенчатого типа, причем нижние уровни металлизации отделены от верхних изолирующим слоем с контактными окошками для соединения нижнего и верхнего уровней металлизации соответствующих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности без ухудшения частотных свойств, зубцы гребенки эмиттерной металлизации расположены над и вдоль эмиттерных полосковых электродов, а зубцы базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под изолирующим слоем.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 11-2002

Извещение опубликовано: 20.04.2002