Белецкий П.Н.

 Способ радиационной обработки транзисторов, включающий облучение пластин с транзисторными структурами протонами и термообработку при температуре от 400 до 450oC, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и упрощения технологии изготовления транзисторов, пластины с транзисторными структурами облучают протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических генераторов и холодильников, а также полупроводниковых приборов, используемых в электронной и радиотехнической промышленности. Целью изобретения является снижение термического сопротивления и улучшение диэлектрических свойств теплоперехода. В способе изготовления теплоперехода,...