Способ радиационной обработки транзисторов
Патент 1424634
Авторы
Классы МПК
Способ радиационной обработки транзисторов
Реферат
Способ радиационной обработки транзисторов, включающий облучение пластин с транзисторными структурами протонами и термообработку при температуре от 400 до 450oC, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и упрощения технологии изготовления транзисторов, пластины с транзисторными структурами облучают протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины и дозой от 7 1013 до 25 1013 см-2, а термообработку проводят в течение от 20 до 30 мин.