СКУРАТОВСКИЙ В.Н.

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к планерной (групповой) технологии изготовления интегральных схем на подложках - полупроводниковых пластинах , и может быть использовано для ;t уменьшения толщин полупроводниковых . пластин путем травления их нерабочих сторон. Цель - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключения подт...