Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин

Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к планерной (групповой) технологии изготовления интегральных схем на подложках - полупроводниковых пластинах , и может быть использовано для ;t уменьшения толщин полупроводниковых . пластин путем травления их нерабочих сторон. Цель - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключения подтравливания рабочих сторон пластин. В данном способе полупроводниковые пластины совмещают попарно рабочими поверхностями, на которых сформированы интегральные схемы. Зазор:а между пластинами заполняют деионизованной водой и охлаждают пластины до температурызамерзания воды. Обработку пластин производят в жидком травителе, температура которого ниже . Наличие слоя льда между совмещенные ми попарно пластинами препятствует проникновению в зазоры жидкого травителя в процессе обработки, в результате чего исключается подтравливание рабочих сторон пластин, увеличивается процент выхода годных кристаллов .интегральных схем. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СО).)ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (!9) ()1) (5))5 Н 01 1. 21/306

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

- К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (46) 30.12.90, Бюл. N - 48 (21) 4201822/24-25 (22) 02.03.87 (72) В.И.Гончаров, А.А.Деев и В.Н.Скуратовский (53) 621.382 (088.8) (56) Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1974, с. 98.

Авторское свидетельство СССР

)) 1168636, кл, С 30 В ЗЗ/00, 1985. (54) СПОСОБ ))6ЩКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к планарной (групповой) технологии изготовления интегральных схем на подложках — полупроводниковых пластинах и может быть использовано для ч умейьшения толщин полупроводниковых пластин путем травления их нерабочих сторон. Цель — повышение процента выхода годных кристаллов интеграпьных схем за счет исключения подтравливания рабочих сторон пластин. В данном способе полупроводниковые пластины совмещают попарно рабочими поверхностями, на которых сформированы интегральные схемы. Зазорл между пластинами заполняют деиониэованной водой и охлаждают пластины до температурыэамерэания воды. Обработку пластин производят в жидком травителе, температура которого ниже 0 С.

Наличие слоя льда между совмещенны ми попарно пластинами препятствует проникновению в зазоры жидкого травителя в процессе обработки, s резуль- Ф тате чего исключается подтравливание рабочих сторон пластин, увеличивает- %ФУ ся процент выхода годных кристаллов (, интегральных схем.. 1436775 лажденный до — 10 С. Во время травления осуществляется экзотермическая реакция с выделением тепла. Во избежание. таяния слоя льда, обраэованного между каждой парой полупроводниковых пластин, температуру жидкого травителя поддерживают не выше — 5С.

Травление осуществляют в течение

30 мин, в результате чего с одной требующей травления обратной стороны каждой полупроводниковой пластины удален слой .толщиной 0,2 мм.

После травления полупроводниковые пластины окунают в деионизованную воду на 5 мин и просушивают. Для оценки качества травления производят контроль кристаллов, сформированных на планарной стороне полупроводниковых пластин, по внешнему .виду с помо- щью микроскопа, Выход годных кристаллов составил,1007..

Формула изобретения.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к иланарной (групповой) технологии изготовленияя интегральных схем на под5 ложках — полупроводниковых пластинах,,и может быть использовано для уменьшения толщин полупроводниковых

D.. пластин путем травления их нера-. бочих сторон. 10

Цель изобретения — повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключения иод;равливания рабочих сторон плас- и тин. 15

В предлагаемом способе полупроводниковые пластины совмещают попарно рабочими поверхностями, на которых сформированы интегральные схемы. После заполнения зазоров деионизован-2р ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованной воды, Благодаря наличию слоя льда между совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа": нию температуры жидкого травителя ниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, а экэотермическая реакция, возникающая после окунания полупроводниковых пластин в жидкий травитель, не при-. водит к таянию слоя льда ° В результате этого )кидкий травитель не воздей- . .ствует на рабочие стороны полупровод. 35 никовых пластин со сформированными. интегральными схемами, а следовательно исключается растравливание крис3 таллов, за счет чего увеличивается процент выхода годньм кристаллов интегральных схем.

1 Пример. По предлагаемому способу изготавливают кристаллы интегральной схемы серии 580. Подложками служат полупроводниковые кремниевые пластины длиной 100 мм, толщиной 0,5 мм в количестве 50 шт.

Для разделения полупроводниковьм пластин на кристаллы резкой алмазным диском и удобства монтажа кристаллов в корпус необходимо стравить слой кремния с обратных сторон полупроводниковых пластин толщиной 0,2 мм.

50 шт. полупроводниковых пластин со сформированными на рабочей сторо-. 55 не кристаллами складывают попарно, совмещая при этом в каждой паре полупроводниковые пластины рабочими сто-, ронами. Каждую пару полупроводниковых пластин устанавливают в гнезда кассеты, предназначенной для обработки пластин. Кассету с 25 парами полупроводниковых пластин кратковременно погружают в деионизованную воду, в результате чего в зазор между полупроводниковыми пластинами каждой пары проникает деионизованная вода.

После этого кассету с иолупроводниковыми пластинами подвергают обдуву теплым воздухом в течение 1 мин до спарения деиониэованной воды с открытых поверхностей полупроводниковых пластин и кассеты, при этом деиониэованная вода, находящаяся между полупроводниковыми пластинами, сохраняется там и после обдува. Затем кассету с полупроводниковыми пластинами устанавливают в морозильную о камеру при температуре камеры — 10 С.

В течение 3.мин деионизованная вода, находящаяся между полупроводниковыми пластинами, превращается в лед, После этого кассету с полупроводниковыми пластинами окунают в жидкий травитель, составленный на основе азотной и плавиковой кислот и охЪ .Способ жидкостного травления полу проводниковых пластин с нерабочей стороны, включающий заполнение деионизованной водой зазоров между полупроведниковыии пластинами, совмещенными попарно своими рабочими стоСоставитель Т.Колмакова

Техред M.Ìîðãåíòàë

Редактор Е.Корина

Корректор М.Демчик

,ÇàKàý 4327 (: .Тираж 461

ВНИИПИ. Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

Подписное. 313035, Москва, Ж 35, Рауаская наб. ° д. 4/5

Ю

Производственно- олиграфйческое предприятие ° г-. Ужгород, ул. Проектная, 4

1 з t4367 ронами,. на которых сформированы интегральные схемы, обработку пластин жидким травителем, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения подтравливания рабочих сторон, 75

4 полупроводниковые пластины после заполнения зазоров деиониэованной водой охлаждают до ее замерзания, а обработку проводят в жидком травителе, поддерживая температуру ниже

Оос.