ГОНЧАРОВ В.И.

  ОП И ИЗОБ 1) 257529 (61) Дополнительно (22) Заявлено12.03 с присоединением (23) Приоритет (43) Опубликовано 51) М. Кл С 21 С 7/00 В 22 33 3/O0 1овудвротвенный комитет Ввввтв Мнннстров Мой вв делам нзобретеннй н открытнй 53) УДК669-493: :621.78.062: ;621.745. 552.5 (088.8) (45) Дата опубли (72) Авторы изобретения 3. С. Рубанов, B. И. Гончаров, B. E. Волосенков, М. П. Ушере...

  ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый кристалл, соединеннь1й с кристаллодержателем выводной рамки, выполненной из металлической ленты, плакированной полосой алюминия, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с-целью повышения технологической и эксцлуатационной надежности , в кристаллодержателе выполнено окно для размещения полупроводниково-. го кристалла, основание которого с...

  ПЕРЕПРОГРА 1М11РУЕМА Я УЛЬТРАФИОЛЕТОВЬМ ОБЛУЧЕНЖМ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый .кристалл, соединенный коммутационными проводниками с выводной рамкой. размещенной в монолитном пластмассовом корпусе с отверстием, открывающим пропускающий ультрафиолетовые лучи слой, расположенный на поверхности пол атроводникового кристалла и герметично соединенный с монолит1Л1м...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к планерной (групповой) технологии изготовления интегральных схем на подложках - полупроводниковых пластинах , и может быть использовано для ;t уменьшения толщин полупроводниковых . пластин путем травления их нерабочих сторон. Цель - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключения подт...