Перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема

Перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ПЕРЕПРОГРА 1М11РУЕМА Я УЛЬТРАФИОЛЕТОВЬМ ОБЛУЧЕНЖМ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый .кристалл, соединенный коммутационными проводниками с выводной рамкой. размещенной в монолитном пластмассовом корпусе с отверстием, открывающим пропускающий ультрафиолетовые лучи слой, расположенный на поверхности пол атроводникового кристалла и герметично соединенный с монолит1Л1м пластмассовым корпусом, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных ущтегральных схем и эффективности из перепрограммирования , пропускающий ультрафиоле-товые лучи слой выполнен в виде пластины, установленной в зоне, ограниченной местами присоединений коммутационных проводников к полупррводш-iKOBOMy кристаллу., без адгезионной «е связи с его поверхностью. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„> 163776 (Ц 5 Н 01 L 31/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К Д BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯМ

flPH ГКНТ СССР (21) 371 7871 /24-25 (22) 02.04.84 (46) 30.11,90, Бюл. Р 44 (7?) В.И.Гончаров и Л.В.Томашпольский (53) 621.382.002(088.8) (56) Лаймен. Рост числа выводов стимулирует конструктивные изменения корпусов для БИС. — Электроника, 19 7, т.50, Р б, с.31-46.

Авторское свидетельство СССР

У 7351!8, кл. Н 01 L 21/00, 1979.. (54) (57) ПЕРЕПРОГРИЛИРУЕМАЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВИМ ОБЛУЧЕНИЕМ ИНТЕГРАЛЬНАЯ

СХЕМА, содержащая полупроводниковый .кристалл, соединенный коммутационны ми .проводниками с выводной рамкой, Изобретение относится к области электронной техники, а именно к микроэлектронике, и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых запоминающих устройств (ПЗУ) со стиранием информации ультрафиолетовым облучением.

Известна перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема, содержащая полупроводниковый кристалл, размещенный. во внутреннем объеме металлокерамического корпуса, имеющего оптическое окно, пропускающее ультрафиолетовые лучи.

Недостатками такой конструкции являются снижение надежности интегральной схемы, в частности появление коррозии на алюминиевой металлнзации полупроводникового кристалла под aosдействием многократного ультрафиоле2 размещенной в монолитном пластмассовом корпусе. с отверстием, открывающим пропускающий ультрафиолетовые лучи слой, расположенный на поверхности полупроводникового кристалла и герметично соединенный с монолитным пластмассовым корпусом, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и эффективности из перепрограммирования, пропускающий ультрафиолетовые лучи слой выполнен в виде пластины, установленной в зоне, ограниченной местами присоединений коммутационных проводников к полупроводниковому кристаллу., без ацгезионной связи с его поверхностью. тового облучения среды внутреннего объема металлокерамического корпуса при перепрограммированиях; высокая стоимость металлокерамического корпуса, обусловленная содержанием в нем дефицитных и дорогостоящих материалов (драгметаллов, электронной керамики, кобальта), а также высокой трудоемкостью его изготовления.

Наиболее близка к предлагаемой, перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема, содержащая полупроводниковый Кристалл, соединенный коммутационными проводниками с выводной рамкой, размещенной в монолитном пластмассовом корпусе с отверстием, открывающим пропускающий ультрафиолетовые лучи защитный слой, расположенный на поверхности полупроводникового кристалла и

1163776,герметично соединенный с монолитным пластмассовым корпусом. Достоинствами такой конструкции являются: отсутствие внутреннего объема в монолитном пластмассдвом корпусе, а вследствие этого исключение снижения надежности под воздействием многократного, ультрафиолетового облучения нри йерепраграммированиях интегральной схемы; низкая стоимость монолитного пластмассового корпуса, обусловленная отсутствием в нем дефицитных и дорогостоящих материалов, а также низкой трудоемкостью его изготовления.

Однако значительная усадка полимерного компаунда при.формировании из него пропускающего ультрафиолетовые лучи защитного слоя, а также термомеханические воздействия на интегральную схему при ее изготовлении вызывают вследствие разности коэффициентов термического расширения (КТР) защитного слоя и полупроводникового кристалла разрушение соединений кам мутациониых проводников с полупровод.никовым кристаллом. Это приводит -к сниженьпо выхода годных интегральных . схем; разность KTP защитного слоя и полупроводникового кристалла вызыва,ет на границе защитного слоя, адге зионно связанного.с поверхностью

:;кристалла, внутренние напряжения, . приводящие к йзменению структуры защитного слоя, что является причиной снижения им пропускной способности ультрафиолетовых лучей, а следователь но, увеличения длительности цикла стирания информации н уменьшения их

:.ресурсного количества, чем в целом . снижается эффективность перепрограммирования интегральной схемы.

Цель изобретения - повышение вы-хода годных интегральных схем н эффективности из перепрограммирования.

Указанная .цель достигается тем, что пропускающий ультрафиолетовые . лучи слой выполнен в виде пластины, .установленной в зоне, ограниченной

,местами присоединений коммутационных.

;проводников к полупроводниковому кристаллу, беэ адгезионной связи с ега поверхностъю.

Благодаря тому, что пластина, пропускающая ультрафиолетовые лучи, усаиовлена в зоне, ограниченной местами 55 присоединений коммутационных про. водников к. полупроваднйковму кристаллу,- исключено разрушение их соединеО ний при технологических воздействиях на интегральную схему в лроцессе ее изготовления.

Отсутствие адгезианной связи между пропускающей ультрафиолетовые лучи пластиной и поверхностью кристалла исключает внутренние напряжения в пластине иа границе их соприкосновения, а следовательно, повыйается эффективность перепрограммирования интегральной схемы.

На чертеже изображена предложенная интегральная схема, разрез.

Перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема содержит размещенную в монолитном пластмассовом корпусе 1 выводную рамку 2, соединенную каммутационными проводниками 3 с полупроводниковым кристаллом 4, на поверхности которого установлена пластика 5, пропускающая ультрафиолетовые лучи. Корпус имеет отверстие 6, открывающее пластину, Пластина установлена на поверхности кристалла в зоне, ограниченной местами 7 присоединений каммутационных проводников 3 к полупроводниковому кристаллу 4, и герметично соединена своими боковыми гранями с корпусом.

Пропускающая ультрафиолетовые лучи пластина 5 установлена вне мест

7 присоединений коммутационных проводников 3 к полупроводникавму кристаллу 4, что исключило их разрушение н тем самым повысило выход годных интегральных схем.

Отсутствие адгезионной связи между поверхностью полупроводникового кристалла и пластиной исключило внутренние напряжения в ней на границе ее соприкосновения с полупроводниковым кристаллом, а следовательно, ловысило эффективность перепрограммирования интегральной схемы.

Изобретение па сравнению с прототипом имеет следующие технико-экономические паеимущества: устраняет разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристаллом при изгоТовления перепрограммируемых ультрафиолетовым облучением интегральных схем, чта позволяет повысить выход годных на 5-7 ; сокращает „".ительность цикла стирания ииформации в l,2-1,3 раза и увеличивает их ресурсное количество в l,33,4 раза, что позволяет повысить эффективность перепрограммирования.

)163776

Техред,М.Морге итал Кор ректор Н. Ревская

Редактор О.Филиппова

Заказ 4340 Тираж 445 Подписное

BHHHIIH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

1t3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

ЮЮ б

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 103 .