Интегральная схема

Интегральная схема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый кристалл, соединеннь1й с кристаллодержателем выводной рамки, выполненной из металлической ленты, плакированной полосой алюминия, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с-целью повышения технологической и эксцлуатационной надежности , в кристаллодержателе выполнено окно для размещения полупроводниково-. го кристалла, основание которого соединено с основанием кристаллодержателя .

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5D4 H 01 L 23 12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2621840/18-21 (22) 25.05.78 (46) 15.06.88. Вюл. N 22 (72) Л.В.Томашпольский, С.П.чижик, В.Д.Фролов, В.И.Гончаров, Л.К.Григорьева и Н.В.Кабуэан (53) 621. 382 (088. 8) (56) Патент Франции Ф 2218154, кл. Н 01 1 1/00, 1974.

Патент Франции У 2268358,. кл. Н 01 L 28/02, 1975.

„„SU„„1083858 (54)(57) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый кристалл, соединенный с кристаллодержателем выводной рамки, выполненной иэ металлической ленты, плакированной полосой алюминия, отличающаяся тем, что, с -целью повьпаения технологической и эксплуатационной надежности, в кристаллодержателе выполнено окно для раэмещения полупроводникового кристалла, основание которого соединено с основанием кристаллодержателя.

1083858

ВНИИПИ Заказ 3395 Тираж 746 Подписное произв-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных схем и по5 лупроводниковых приборов.

Известна интегральная схема, содержащая полупроводниковый кристалл, закрепленный на кристаллодержателе выводной рамки, выполненной иэ метал- 1р лической ленты, плакированной золотом.

Золото позволяет осуществить надежный низкоомный контакт полупроводникового кристалла с кристаллодержа- 15 телем.

Недостатком данной конструкции является необходимость использования драгоценного металла золота.

Известна также конструкция инте- 2р гральной .схемы, содержащая полупроводниковый кристалл, закрепленный на кристаллодержателе выводной рамки, выполненной из металлической ленты, плакированной полосой алюминия, 25 в которой выполнено углубление. °

Полупроводниковый кристалл в данной конструкции электрически соединен коммутационными. проводниками с внутренними концами выводной рамки, 30 контактная поверхность которых покрыта алюминием.

Покрытие алюминием обеспечивает высокую надежность контакта коммута- . ционного проводника с внутренним концом выводной рамки. Однако следует отметить, что, т.к. монтажная область кристаллодержателя также покрыта алюминием, возникают затруднения в обеспечении надежного низкоомного 4р контакта с полупроводниковым кристаллом.

Это объясняется тем, что пайка к алюминию обычно осуществляется специальными припоями с использованием

45 агрессивных флюсов. Применение же ультразвуковых методов пайки вызывает значительные механические воздействия. на полупроводниковый кристалл, что приводит к его разрушению. Кроме того, соединения кристалла с алюминием не обеспечивают надежный низкоомный контакт.

Целью изобретения является повышение технологической и эксплуатационной надежности интегральной схемы.

Укаэанная цель достигается тем, что в интегральной схеме, содержащей полупроводниковый кристалл, соединенный с кристаллодержателем выводной рамки„ выполненной иэ металлической ленты, плакированной полосой алюминия, в кристаллодержателе выполнено окно для размещения полупроводникового кристалла, основание которого соединено с основанием кристаллодержателя.

На чертеже изображен общий вид интегральной схемы. Интегральная схема имеет полупроводниковый кристалл

1, размещенный внутри окна, выполненного в кристаллодержателе 2 выводной рамки 3, изготовленной из металлической ленты,плакированной алюминием, благодаря чему контактные площадки внутренних концов выводной рамки 3 и кристаллодержатель 2 покрыты слоем 4 алюминия.

Полупроводниковый кристалл 1 электрически соединен коммутационными проводниками 5 с контактными площадками внутренних концов выводной рамки 3. Полупроводниковый кристалл 1 соединен при помощи армированного припоя 6 с основанием кристаллодержателя 2, которое не покрыто алюминием, вследствие чего достигается надежный низкоомный контакт и упрощается технология сборки интегральной схемы. Полупроводниковый кристалл 1 в сборе с выводной рамкой !

3 заключен в пластмассовый кор-. пус 7.

Использование данного изобретения позволит повысить надежность схемы и снизить себестоимость ее Изготов-, ления.