Алиев В.Ш.

 1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном...

 Использование: для получения атомарно-очистной поверхности кремния в технологии вакуумной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Сущность изобретения: кремниевые пластины обрабатывают в жидкостном травителе. Образовавшийся окисный слой и поверхность кремния удаляют при комнатной температуре травлением в дифториде ксенона. При этом достигается высокая степень обезуглероживания поверхности. Затем...