КОБЗАРЬ-ЗЛЕНКО В.А.

  Изобретение касается .выращивания Кристаллов соединений А- В . Цель - улучшение оптических характеристик кристаллов за счет снижения содержания примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида. в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Включают нагрев,...

  Изобретение относится к лазерной технике , в частности к способам получения кристаллов для изготовления оптических элементов С02-лазеров, и может найти применение в химической промышленности при выращивании кристаллов селенида цинка. Способ позволяет улучшить оптические характеристики кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элементов . Исходный селенид цинка предва...

  Изобретение относится к способам выращивания кристаллов сульфида кадмия методом направленной кристаллизации, изделия из которых применяются в акустоэлектронике, пьезотехнике оптической и электронной технике, и может быть использовано в химической промышленности при получении кристаллов соединений . Цель изобретения - повышение объемной однородности электрических свойств кристалло...