PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЧЖАО Кианг (US)

Изобретатель ЧЖАО Кианг (US) является автором следующих патентов:

Полупроводниковое устройство (варианты) и способ формирования воздушных зазоров внутри структуры (варианты)

Полупроводниковое устройство (варианты) и способ формирования воздушных зазоров внутри структуры (варианты)

 Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования воздушных зазоров в полупроводниковых структурах предусматривает заполнение замкнутого внутреннего объема структуры удаляемым материалом, разложение удаляемого материала на газообразные продукты распада и удаление их путем диффузии через твердый слой, прилегающий к внутреннему объему. Техническим результатом изобр...

2204181