PatentDB.ru — поиск по патентным документам

БИЧУРИН РИННАТ ЧИНГИЗХАНОВИЧ

Изобретатель БИЧУРИН РИННАТ ЧИНГИЗХАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ перекристаллизации диоксида теллура

Способ перекристаллизации диоксида теллура

  Изобретение относится к способу перекристаллизации диоксида теллура и позволяет повысить выход целевого продукта и упростить аппаратурное оформление процесса. В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 330 г диоксида теллура, затем устанавливают перегородку и заливают водный раствор 4-6%-ной соляной кислоты и 3-5%-ной перекиси водорода, при этом соотношение Т:Ж=1:(3,5-3,8) и соотн...

1491809

Способ получения кристаллов оксидно-галогенного соединения теллура

Способ получения кристаллов оксидно-галогенного соединения теллура

  Изобретение относится к технологии получения кристаллического , который может быть использован в неорганической химии, акустооптике , пьезотехнике. Цель изобретения - получение кристаллического (Вг. Процесс велут из водного раствора НВг, содержащего Те02, путем испарения при 80-95°С и температурном перепаде по высоте реактора 5-10 С. Концентрация НВг равна 35- 40 мас.%, о...

1641898

Способ получения оксихлорида теллура

Способ получения оксихлорида теллура

  А1 09 И!) (51)S С 01 В 19/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ fHHT СССР t (21) 4629916/26 (22) 03. 01. 89 (46) 23.04.91. Бюл, М 15 (71) Институт кристаллографии им. А.В.Ыубникова (72) В.И.Пополитов; P.×.Áè÷óðèí, А.А.Телегенов, Т.M.ÄûìåHKî и Б.С.Черкасов (53) 661.691 (088.8) (56) Пополитов В.И., Литвин Б....

1643457

Способ выращивания монокристаллов l @ в @ о @ (он) @

Способ выращивания монокристаллов l @ в @ о @ (он) @

  Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литиевого бората, которые могут быть использованы в пьезотехнике. Цель изобретения - повышение выхода и увеличение размеров монокристаллов0 Способ включает растворение шихты, содержа - щей тетраборат лития и борную кисло ту в массовом соотношении (,5): :(1Н,2), в этаноле и рост кристаллов при 250 - 300°С, температу...

1656014

Способ получения диоксида германия тетрагональной модификации

Способ получения диоксида германия тетрагональной модификации

  Изобретение относится к гидротермальному способу перекристаллизации диоксида германия тетрагональной модификации (/ Ge02), который может быть использован как исходное сырье для создания композиционных материалов, в пьезотехнике, в частности в резонаторах и фильтрах различного назначения, и в других областях материаловедения. Цель-увеличение выхода продукта и размеров кристаллов....

1682413